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TSP12U120S Taiwan Semiconductor Corporation


Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details TSP12U120S Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Current - Average Rectified (Io): 12A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSP12U120S Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
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