TT8M1TR Rohm Semiconductor


TT8M1_DS.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.32 EUR
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Technische Details TT8M1TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 8-TSST, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote TT8M1TR nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor tt8m1tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
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TT8M1TR TT8M1TR ROHM Semiconductor TT8M1_DS.pdf MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
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4+1.01 EUR
10+0.88 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
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3000+0.32 EUR
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TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor TT8M1_DS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
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22+0.98 EUR
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MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
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100+0.62 EUR
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1000+0.39 EUR
3000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
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