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TTA006B,Q

TTA006B,Q TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FB07C37287D53D2&compId=TTA006B.pdf?ci_sign=a603de9406286877e120f91b947b6abf201de433 Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 1A; 1.5W; TO126
Mounting: THT
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 230V
Current gain: 100...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO126
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Technische Details TTA006B,Q TOSHIBA

Description: TRANS PNP 230V 1A TO-126N, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 1.5 W.

Weitere Produktangebote TTA006B,Q nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TTA006B,Q TTA006B,Q Hersteller : Toshiba TTA006B_datasheet_en_20230606-1649915.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC=10W F=1MHZ
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TTA006B,Q
Produktcode: 174077
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TTA006B,Q TTA006B,Q Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 230V 1A 10000mW 3-Pin TO-126N Sack
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TTA006B,Q TTA006B,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35776&prodName=TTA006B Description: TRANS PNP 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
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