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TTA1452B,S4X

TTA1452B,S4X Toshiba

21969docget.jspdid13850prodnametta1452b.jspdid13850prodnametta1452b.pd.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin
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Technische Details TTA1452B,S4X Toshiba

Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-220SIS, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote TTA1452B,S4X nach Preis ab 1.83 EUR bis 6.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TTA1452B,S4X TTA1452B,S4X Toshiba 21969docget.jspdid13850prodnametta1452b.jspdid13850prodnametta1452b.pd.pdf Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin
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TTA1452B,S4X TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13850&prodName=TTA1452B&returnFlg=false Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220SIS
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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TTA1452B,S4X TTA1452B,S4X Toshiba 90A855DD68D556128C678E4AD7511783BC214C2AA116855062FBBF0BCB0F5A1F.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS 00 PD=30W F=1MHZ
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10+3.06 EUR
100+2.76 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2500+1.93 EUR
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220SIS
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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TTA1452B,S4X
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Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS 00 PD=30W F=1MHZ
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