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TTA1713-GR,LF

TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
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Technische Details TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TTA1713-GR,LF TTA1713-GR,LF Hersteller : Toshiba TTA1713_datasheet_en_20180528-1627375.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
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TTA1713-GR,LF TTA1713-GR,LF Hersteller : Toshiba tta1713_datasheet_en_20180528.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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TTA1713-GR,LF TTA1713-GR,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713 Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
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