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TTC0002(Q)

TTC0002(Q) Toshiba

TTC0002_datasheet_en_20131101-1144024.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
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Technische Details TTC0002(Q) Toshiba

Description: TRANS NPN 160V 18A TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 180 W.

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TTC0002(Q) TTC0002(Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TTC0002_datasheet_en_20131101.pdf?did=510&prodName=TTC0002 Description: TRANS NPN 160V 18A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 180 W
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TTC0002(Q) TTC0002(Q) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE996F0645FD7DFF8BF&compId=TTC0002.pdf?ci_sign=f07116ca4e6c02facabb3775c0b66912e2f37f6a Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO3PL
Current gain: 80...160
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
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Produktcode: 174078
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TTC0002(Q) TTC0002(Q) Hersteller : Toshiba 1914ttc0002_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 160V 18A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
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