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TTC0002(Q)

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TTC0002(Q) TTC0002(Q) Toshiba 5239FD690C59BDF0693E5FE91F125E97D5F13D078B0B5323C9CFE07B01E8DCE4.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
auf Bestellung 50 Stücke:
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TTC0002(Q) TTC0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=510&prodName=TTC0002 Description: TRANS NPN 160V 18A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 164 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TTC0002(Q) TTC0002(Q) TOSHIBA TTC0002.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL
Frequency: 30MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO3PL
Collector current: 18A
Current gain: 80...160
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 180W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TTC0002(Q) TTC0002(Q) Toshiba 1914ttc0002_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 160V 18A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
auf Bestellung 35 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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TTC0002(Q)
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
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TTC0002(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 160V 18A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 180 W
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TTC0002(Q)
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL
Frequency: 30MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO3PL
Collector current: 18A
Current gain: 80...160
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 180W
Polarisation: bipolar
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 160V 18A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
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