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Technische Details TTC004B,Q Toshiba
Description: TRANS NPN 160V 1.5A TO-126N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 10 W.
Weitere Produktangebote TTC004B,Q
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TTC004B,Q | Hersteller : Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N |
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TTC004B,Q | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N |
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TTC004B,Q Produktcode: 144441
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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TTC004B,Q | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N |
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| TTC004B,Q | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack |
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TTC004B,Q | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N |
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TTC004B,Q | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 160V 1.5A TO-126N Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-126N Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W |
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