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TTC008(Q)

TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008_datasheet_en_20140403.pdf?did=5992&prodName=TTC008
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 285V 1.5A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 285 V
Power - Max: 1.1 W
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Technische Details TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 285V 1.5A PW-MOLD2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: PW-MOLD2, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 285 V, Power - Max: 1.1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TTC008(Q) TTC008(Q) Toshiba 91549560BF4157E4001DB1817E160FF786393A96B2A2E08CD09FB394F4FF50F3.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
auf Bestellung 995 Stücke:
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2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.94 EUR
600+0.74 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
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TTC008(Q) 91549560BF4157E4001DB1817E160FF786393A96B2A2E08CD09FB394F4FF50F3.pdf
TTC008(Q)
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
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