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Technische Details TTC011B,Q(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TTC011B,Q(S - Bipolares Transistor-Array, NPN, 230 V, 1 A, 10 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 230V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-126N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 10W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote TTC011B,Q(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TTC011B,Q(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TTC011B,Q(S - Bipolares Transistor-Array, NPN, 230 V, 1 A, 10 WtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Durchsteckmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 230V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-126N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: 10W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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TTC011B,Q(S | Hersteller : Toshiba |
Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TTC011B,Q(S | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANSISTOR NPN BIPO TO126N Packaging: Tube Part Status: Active |
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