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TTC011B,Q(S

TTC011B,Q(S Toshiba

68docget.jspdid35681prodnamettc011b.jspdid35681prodnamettc011b.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 1A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
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Technische Details TTC011B,Q(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TTC011B,Q(S - Bipolares Transistor-Array, NPN, 230 V, 1 A, 10 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 230V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-126N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 10W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TTC011B,Q(S TTC011B,Q(S Hersteller : TOSHIBA 3770086.pdf Description: TOSHIBA - TTC011B,Q(S - Bipolares Transistor-Array, NPN, 230 V, 1 A, 10 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 230V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-126N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: 10W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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TTC011B,Q(S TTC011B,Q(S Hersteller : Toshiba 68docget.jspdid35681prodnamettc011b.jspdid35681prodnamettc011b.pdf Silicon NPN Epitaxial Type
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TTC011B,Q(S Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B_datasheet_en_20160209.pdf?did=35681&prodName=TTC011B Description: TRANSISTOR NPN BIPO TO126N
Packaging: Tube
Part Status: Active
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