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TTC011B,Q

TTC011B,Q Toshiba

TTC011B_datasheet_en_20160209-1649840.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10WF=1MHZ
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Technische Details TTC011B,Q Toshiba

Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 1.5 W.

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TTC011B,Q TTC011B,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
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TTC011B,Q Hersteller : TOSHIBA docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B TTC011B NPN THT transistors
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TTC011B,Q TTC011B,Q Hersteller : Toshiba 68docget.jspdid35681prodnamettc011b.jspdid35681prodnamettc011b.pdf Trans GP BJT NPN 230V 1A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
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