Produkte > TOSHIBA > TTC011B,Q
TTC011B,Q

TTC011B,Q TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FB06AF262DA73D2&compId=TTC011B.pdf?ci_sign=9ad8dc01d5f90d93ca72a637a9eca0bf71fb03f8 Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 1A; 1.5W; TO126
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 230V
Current gain: 100...320
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO126
auf Bestellung 3763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TTC011B,Q TOSHIBA

Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 1.5 W.

Weitere Produktangebote TTC011B,Q nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TTC011B,Q TTC011B,Q Hersteller : Toshiba TTC011B_datasheet_en_20160209-1649840.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10WF=1MHZ
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.44 EUR
10+0.68 EUR
100+0.57 EUR
250+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TTC011B,Q TTC011B,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.6 EUR
17+1.09 EUR
250+0.67 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TTC011B,Q
Produktcode: 174079
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TTC011B,Q TTC011B,Q Hersteller : Toshiba 68docget.jspdid35681prodnamettc011b.jspdid35681prodnamettc011b.pdf Trans GP BJT NPN 230V 1A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH