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TW015N65C,S1F(S TOSHIBA

Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 342W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

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Technische Details TW015N65C,S1F(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 342W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Weitere Produktangebote TW015N65C,S1F(S nach Preis ab 55.88 EUR bis 55.88 EUR

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TW015N65C,S1F(S

TOSHIBA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ

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Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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TW015N65C,S1F(S

Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
30+	55.88 EUR

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