TW015N65C,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Case: TO247
On-state resistance: 21mΩ
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Technische Details TW015N65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 342W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Weitere Produktangebote TW015N65C,S1F(S nach Preis ab 94.21 EUR bis 178.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TW015N65C,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 342W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW015N65C,S1F(S | Toshiba | TW015N65C,S1F(S |
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| TW015N65C,S1F(S | Toshiba | TW015N65C,S1F(S |
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| TW015N65C,S1F(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 2+ | 141.29 EUR |
| 5+ | 118.32 EUR |
| TW015N65C,S1F(S |
Hersteller: Toshiba
TW015N65C,S1F(S
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|---|---|
| 2+ | 113.48 EUR |
| 5+ | 107.45 EUR |
| 10+ | 97.65 EUR |
| 25+ | 94.21 EUR |
| TW015N65C,S1F(S |
Hersteller: Toshiba
TW015N65C,S1F(S
TW015N65C,S1F(S
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 178.93 EUR |
| 2+ | 170.03 EUR |
| 3+ | 161.03 EUR |
| 5+ | 153 EUR |
| 10+ | 146.87 EUR |
| 20+ | 141.35 EUR |