TW015N65C,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TW015N65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 342W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote TW015N65C,S1F(S nach Preis ab 105.29 EUR bis 137.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| TW015N65C,S1F(S | Hersteller : Toshiba | TW015N65C,S1F(S |
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| TW015N65C,S1F(S | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V |
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