TW015Z120C,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 431W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 90.19 EUR |
| 5+ | 83.73 EUR |
| 10+ | 77.27 EUR |
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Technische Details TW015Z120C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 431W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Weitere Produktangebote TW015Z120C,S1F(S nach Preis ab 158.37 EUR bis 197.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW015Z120C,S1F(S | Toshiba | SICMOS 247-4L G3,ACTIVE, |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW015Z120C,S1F(S |
Hersteller: Toshiba
SICMOS 247-4L G3,ACTIVE,
SICMOS 247-4L G3,ACTIVE,
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 197.5 EUR |
| 5+ | 173.45 EUR |
| 10+ | 158.37 EUR |