TW015Z65C,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung: 342W
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 121.36 EUR |
| 5+ | 90.15 EUR |
| 10+ | 76.3 EUR |
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Technische Details TW015Z65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 342W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Weitere Produktangebote TW015Z65C,S1F(S nach Preis ab 120.62 EUR bis 150.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW015Z65C,S1F(S | Toshiba | MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW015Z65C,S1F(S |
Hersteller: Toshiba
MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 150.88 EUR |
| 5+ | 139.25 EUR |
| 10+ | 120.62 EUR |