TW030N120C,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 249W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 124.11 EUR |
| 5+ | 106.06 EUR |
| 10+ | 89.24 EUR |
| 50+ | 87.45 EUR |
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Technische Details TW030N120C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 249W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| TW030N120C,S1F(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 60A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A On-state resistance: 40mΩ |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TW030N120C,S1F(S |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)