TW083U65C,RQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 29.07 EUR |
| 11+ | 20.78 EUR |
| 50+ | 19.12 EUR |
| 100+ | 19.09 EUR |
| 250+ | 19.04 EUR |
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Technische Details TW083U65C,RQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 111W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm.
Weitere Produktangebote TW083U65C,RQ(S nach Preis ab 19.04 EUR bis 36.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW083U65C,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 111W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW083U65C,RQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 111W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 111W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 7+ | 36.08 EUR |
| 8+ | 29.07 EUR |
| 11+ | 20.78 EUR |
| 50+ | 19.12 EUR |
| 100+ | 19.09 EUR |
| 250+ | 19.04 EUR |