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UCC27710D TEXAS INSTRUMENTS

Name: UCC27710D
Brand: TEXAS INSTRUMENTS
SKU: 29500775-8
Price: 72.54 EUR
Availability: InStock

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Fucc27710

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; Ch: 2; 10÷20VDC
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC

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Technische Details UCC27710D TEXAS INSTRUMENTS

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 1.6V, Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.

Weitere Produktangebote UCC27710D nach Preis ab 1.56 EUR bis 3.06 EUR

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UCC27710D

Texas Instruments

Gate Drivers 0.5-A/1.0-A 620-V h alf bridge gate driv A 595-UCC27710DR

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UCC27710D

Texas Instruments

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 1.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

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Driven Configuration: Half-Bridge
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Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
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