UES1105e3/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details UES1105e3/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A A AXIAL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: A, Axial, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: Axial, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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UES1105e3/TR | Microchip Technology |
 Rectifiers UFR,FRR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UES1105e3/TR |
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