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UF3C065080B3

UF3C065080B3 Qorvo

da008631
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details UF3C065080B3 Qorvo

Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo da008631 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
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UF3C065080B3 UF3C065080B3 UnitedSiC DS_UF3C065080B3-1772619.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
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800+7.71 EUR
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UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo / UnitedSiC UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
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UF3C065080B3 UF3C065080B3 onsemi da008631 SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
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UF3C065080B3 UF3C065080B3 ONSEMI 3750889.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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UF3C065080B3 UF3C065080B3 ONSEMI 3750889.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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UF3C065080B3 da008631
UF3C065080B3
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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UF3C065080B3
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
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UF3C065080B3 DS_UF3C065080B3-1772619.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
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UF3C065080B3
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
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UF3C065080B3
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SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
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UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
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Bauform - Transistor: D2PAK
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Bauform - Transistor: D2PAK
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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