UF3C065080K3S Qorvo
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.06 EUR |
| 30+ | 8.83 EUR |
| 120+ | 8.19 EUR |
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Technische Details UF3C065080K3S Qorvo
Description: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.
Weitere Produktangebote UF3C065080K3S nach Preis ab 9.97 EUR bis 24.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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UF3C065080K3S | Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-3 |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065080K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3 |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065080K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF3C065080K3S |
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.93 EUR |
| 25+ | 12.98 EUR |
| 100+ | 11.21 EUR |
| 250+ | 10.01 EUR |
| 600+ | 10 EUR |
| 3000+ | 9.97 EUR |
| UF3C065080K3S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.44 EUR |
| 10+ | 13.03 EUR |
| 120+ | 11.27 EUR |
| UF3C065080K3S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
Description: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 31A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.29 EUR |
| 13+ | 18.03 EUR |
| 18+ | 12.47 EUR |
| 50+ | 12.1 EUR |
| 100+ | 11.76 EUR |