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UF3C065080T3S

UF3C065080T3S onsemi

da008635
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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Technische Details UF3C065080T3S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
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UF3C065080T3S UF3C065080T3S UnitedSiC DS_UF3C065080T3S-1623603.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
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UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo / UnitedSiC UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
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UF3C065080T3S UF3C065080T3S onsemi da008635 SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
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UF3C065080T3S UF3C065080T3S ONSEMI 3750892.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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UF3C065080T3S
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 950 Stücke:
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UF3C065080T3S
Hersteller: UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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