UF3SC120016K3S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 108.36 EUR |
| 30+ | 74.54 EUR |
| 120+ | 74.23 EUR |
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Technische Details UF3SC120016K3S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF3SC120016K3S nach Preis ab 77.52 EUR bis 134.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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UF3SC120016K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3SC120016K3S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3SC120016K3S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3 |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3SC120016K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF3SC120016K3S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 108.78 EUR |
| 10+ | 77.52 EUR |
| UF3SC120016K3S |
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 118.08 EUR |
| 10+ | 110.18 EUR |
| 120+ | 95.87 EUR |
| 510+ | 94.2 EUR |
| 5010+ | 94.19 EUR |
| UF3SC120016K3S |
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 120.32 EUR |
| 25+ | 104.55 EUR |
| 100+ | 90.23 EUR |
| 250+ | 83.09 EUR |
| 600+ | 82.31 EUR |
| 3000+ | 82.29 EUR |
| 5400+ | 82.26 EUR |
| UF3SC120016K3S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 107A
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isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 134.77 EUR |
| 5+ | 115 EUR |
| 10+ | 96.79 EUR |
| 50+ | 94.87 EUR |