UF3SC120016K4S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UF3SC120016K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.
Weitere Produktangebote UF3SC120016K4S nach Preis ab 85.95 EUR bis 138.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC120016K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC120016K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC120016K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4 |
auf Bestellung 632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| UF3SC120016K4S |
|
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 127.26 EUR |
| 10+ | 93.87 EUR |
| UF3SC120016K4S |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 133.4 EUR |
| 5+ | 117.67 EUR |
| 10+ | 87.71 EUR |
| 50+ | 85.95 EUR |
| UF3SC120016K4S |
|
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 138.48 EUR |
| 25+ | 120.34 EUR |
| 100+ | 103.84 EUR |
| 250+ | 100.97 EUR |
| 600+ | 100.07 EUR |
| 3000+ | 100.06 EUR |
| 5400+ | 100.03 EUR |