auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.35 EUR |
| 25+ | 17.67 EUR |
| 100+ | 15.26 EUR |
| 250+ | 14.04 EUR |
| 600+ | 13.62 EUR |
| 3000+ | 13.6 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UF4C120053K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF4C120053K4S nach Preis ab 14.77 EUR bis 29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4C120053K4S | Hersteller : onsemi |
 SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
UF4C120053K4S | Hersteller : onsemi |
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
UF4C120053K4S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |