| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.54 EUR |
| 25+ | 31.77 EUR |
| 100+ | 27.42 EUR |
| 250+ | 25.24 EUR |
| 600+ | 24.5 EUR |
| 3000+ | 24.48 EUR |
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Technische Details UF4SC120030K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm.
Weitere Produktangebote UF4SC120030K4S nach Preis ab 25.09 EUR bis 43.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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UF4SC120030K4S | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm |
auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UF4SC120030K4S | onsemi |
Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4SC120030K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UF4SC120030K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 41.14 EUR |
| 10+ | 30.61 EUR |
| 50+ | 29.99 EUR |
| 100+ | 29.39 EUR |
| UF4SC120030K4S |
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Hersteller: onsemi
Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 41.17 EUR |
| 30+ | 26.17 EUR |
| UF4SC120030K4S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.92 EUR |
| 10+ | 28 EUR |
| 100+ | 25.09 EUR |