UG8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 3.87 EUR |
| 17+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 2000+ | 1.6 EUR |
| 5000+ | 1.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UG8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote UG8JT-E3/45
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| UG8JT-E3-45 |
auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||
 |
UG8JT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
UG8JT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |