UJ3C120150K3S Qorvo
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 15.75 EUR |
30+ | 12.57 EUR |
120+ | 11.25 EUR |
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Technische Details UJ3C120150K3S Qorvo
Description: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15, Rds(on)-Prüfspannung: 12, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3C120150K3S nach Preis ab 9.98 EUR bis 19.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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UJ3C120150K3S | Hersteller : Qorvo | MOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3 |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3C120150K3S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3C120150K3S | Hersteller : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |