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Technische Details UJ3D06504TS Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote UJ3D06504TS nach Preis ab 1.54 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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UJ3D06504TS | Hersteller : Qorvo |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V |
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UJ3D06504TS | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/4A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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