UJ3D06506TS Qorvo
Hersteller: QorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.72 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.64 EUR |
| 1000+ | 2.24 EUR |
| 2000+ | 2.13 EUR |
| 5000+ | 2.05 EUR |
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Technische Details UJ3D06506TS Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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