UJ3D06520TS onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7 EUR |
| 25+ | 6.1 EUR |
| 100+ | 5.25 EUR |
| 250+ | 4.85 EUR |
| 500+ | 4.51 EUR |
| 1000+ | 4.35 EUR |
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Technische Details UJ3D06520TS onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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UJ3D06520TS | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEG3TO2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UJ3D06520TS |
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Hersteller: onsemi
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