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UJ3N120070K3S

UJ3N120070K3S onsemi

UJ3N120070K3S-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
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Technische Details UJ3N120070K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 254W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S onsemi UJ3N120070K3S-D.PDF JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3
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UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S ONSEMI 3750934.pdf Description: ONSEMI - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
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Verlustleistung: 254W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
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7+35.51 EUR
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250+24.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S-D.PDF
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JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 2V
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