Technische Details UJ4N075005K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4N075005K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 4800 µohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -3.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 714W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.
Weitere Produktangebote UJ4N075005K4S nach Preis ab 63.91 EUR bis 95.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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UJ4N075005K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4N075005K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 4800 µohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -3.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 714W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UJ4N075005K4S | onsemi |
JFETs UJ4N075005K4S |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UJ4N075005K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4N075005K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 4800 µohm, TO-247
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: ONSEMI - UJ4N075005K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 4800 µohm, TO-247
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 94.78 EUR |
| 5+ | 79.34 EUR |
| 10+ | 65.22 EUR |
| 50+ | 63.91 EUR |
| UJ4N075005K4S |
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Hersteller: onsemi
JFETs UJ4N075005K4S
JFETs UJ4N075005K4S
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 95.76 EUR |
| 10+ | 78.75 EUR |
| 120+ | 69.53 EUR |




