Produkte > ONSEMI > UJ4SC075006K4S
UJ4SC075006K4S

UJ4SC075006K4S onsemi

UJ4SC075006K4S_D-3579544.pdf
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+78.48 EUR
10+58.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UJ4SC075006K4S onsemi

Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote UJ4SC075006K4S nach Preis ab 56.68 EUR bis 148.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S onsemi UJ4SC075006K4S-D.PDF Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.81 EUR
30+56.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Qorvo UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.59 EUR
25+75.28 EUR
100+64.94 EUR
250+59.8 EUR
600+58.01 EUR
3000+57.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S UnitedSiC UJ4SC075006K4S-D.PDF JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+123.75 EUR
10+116.23 EUR
30+112.5 EUR
120+104.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+148.76 EUR
30+115.23 EUR
120+92.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S ONSEMI UJ4SC075006K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S-D.PDF
UJ4SC075006K4S
Hersteller: onsemi
Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+78.81 EUR
30+56.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf
UJ4SC075006K4S
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+86.59 EUR
25+75.28 EUR
100+64.94 EUR
250+59.8 EUR
600+58.01 EUR
3000+57.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S-D.PDF
UJ4SC075006K4S
Hersteller: UnitedSiC
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+123.75 EUR
10+116.23 EUR
30+112.5 EUR
120+104.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf
UJ4SC075006K4S
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+148.76 EUR
30+115.23 EUR
120+92.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S-D.PDF
UJ4SC075006K4S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH