UJ4SC075011K4S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 30.13 EUR |
| 30+ | 18.96 EUR |
| 120+ | 17.09 EUR |
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Technische Details UJ4SC075011K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm.
Weitere Produktangebote UJ4SC075011K4S nach Preis ab 33.04 EUR bis 60.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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UJ4SC075011K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4 |
auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4 |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | UnitedSiC |
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 415-419 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UJ4SC075011K4S |
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 44.81 EUR |
| 25+ | 38.93 EUR |
| 100+ | 33.63 EUR |
| 250+ | 33.07 EUR |
| 600+ | 33.05 EUR |
| 3000+ | 33.04 EUR |
| UJ4SC075011K4S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 50.34 EUR |
| 10+ | 49.33 EUR |
| 30+ | 33.55 EUR |
| UJ4SC075011K4S |
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Hersteller: UnitedSiC
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 415-419 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 58.19 EUR |
| 10+ | 53.66 EUR |
| UJ4SC075011K4S |
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 60.49 EUR |
| 30+ | 55.81 EUR |
| 120+ | 55.79 EUR |
| 270+ | 47.63 EUR |
| 1020+ | 45.64 EUR |
| 2520+ | 44.14 EUR |
| UJ4SC075011K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)