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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 44.81 EUR |
| 25+ | 38.93 EUR |
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| 600+ | 33.05 EUR |
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Technische Details UJ4SC075011K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ4SC075011K4S nach Preis ab 31.31 EUR bis 60.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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UJ4SC075011K4S | Hersteller : onsemi |
 Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCODPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V |
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UJ4SC075011K4S | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4 |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | Hersteller : UnitedSiC |
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 415-419 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075011K4S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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