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ULN2003AFWG

ULN2003AFWG Toshiba

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Hersteller: Toshiba
7-Channel NPN Darlington 0.5A 50V Driver for 5V TTL/CMOS, -20?70°C Supersedes: ULN2003AFWG, ULN2003D1013TR, ULN2003ADR2G ULN2003AFW ULN2003afw
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Technische Details ULN2003AFWG Toshiba

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Очікується: 20, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.

Möglichen Substitutionen ULN2003AFWG Toshiba

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ULN2003ADR ULN2003ADR
Produktcode: 43527
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TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fuln2003a IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistorarray
Montage: SMD
Betriebstemperatur, °C: -20...70°C
Ausgangsstrom: 500 мА
Ausgangsspannung: 50 В
Anzahl der Kanäle: 7
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 82 St.
  • 82 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
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ULN2003ADR
Produktcode: 43527
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fuln2003a
ULN2003ADR
Hersteller: TI
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistorarray
Montage: SMD
Betriebstemperatur, °C: -20...70°C
Ausgangsstrom: 500 мА
Ausgangsspannung: 50 В
Anzahl der Kanäle: 7
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
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ULN2003AFWG ULN2003AFWG
Produktcode: 23591
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Toshiba ULN2003AFW.pdf description IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistorarray
Montage: SMD
Betriebstemperatur, °C: -40...85°C
Ausgangsstrom: 500 мА
Ausgangsspannung: 50 В
Anzahl der Kanäle: 7
auf Bestellung: 1088 St.
  • 1088 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.54 EUR
100+0.46 EUR
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ULN2003AFWG Toshiba ULN2003_TOS.pdf description Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Очікується: 20
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Produktcode: 23591
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ULN2003AFWG
Hersteller: Toshiba
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistorarray
Montage: SMD
Betriebstemperatur, °C: -40...85°C
Ausgangsstrom: 500 мА
Ausgangsspannung: 50 В
Anzahl der Kanäle: 7
auf Bestellung: 1088 St.
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10+0.54 EUR
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Hersteller: Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА, Тексп, °С = -40...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Очікується: 20
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