UM2222AU3HZGT106 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 40V 0.6A, Medium Power Transistor for Switching
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.1 EUR |
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Technische Details UM2222AU3HZGT106 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - UM2222AU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 200mW, 600mA, 100hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote UM2222AU3HZGT106 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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UM2222AU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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UM2222AU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UM2222AU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 200mW, 600mA, 100hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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UM2222AU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UM2222AU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 200mW, 600mA, 100hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UM2222AU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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