Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K34NTCN
UM6K34NTCN

UM6K34NTCN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UM6K34NTCN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote UM6K34NTCN nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Rohm Semiconductor um6k34ntcn-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 28349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.2 EUR
964+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Rohm Semiconductor um6k34ntcn-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN UM6K34NTCN ROHM Semiconductor um6k34ntcn_e-1873442.pdf MOSFETs 10V Drive N Ch MOSFET
auf Bestellung 4324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
10+0.37 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 103851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN UM6K34NTCN ROHM ROHMS25787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
376+0.62 EUR
935+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
1539+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN UM6K34NTCN ROHM ROHMS25787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
376+0.62 EUR
935+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
1539+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN um6k34ntcn-e.pdf
UM6K34NTCN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 28349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
885+0.2 EUR
964+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN um6k34ntcn-e.pdf
UM6K34NTCN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN um6k34ntcn_e-1873442.pdf
UM6K34NTCN
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive N Ch MOSFET
auf Bestellung 4324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.51 EUR
10+0.37 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K34NTCN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 103851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN ROHMS25787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UM6K34NTCN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
376+0.62 EUR
935+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
1539+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K34NTCN ROHMS25787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UM6K34NTCN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
376+0.62 EUR
935+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
1539+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH