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Technische Details UM7512DR Microchip Technology
Description: SI PPIN HERMETIC STUD, Packaging: Tray, Package / Case: Stud, Diode Type: PIN - Single, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 100V, 1MHz, Resistance @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Power Dissipation (Max): 10 W.
Weitere Produktangebote UM7512DR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| UM7512DR | Microchip Technology |
 Description: SI PPIN HERMETIC STUDPackaging: Tray Package / Case: Stud Diode Type: PIN - Single Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 100V, 1MHz Resistance @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Power Dissipation (Max): 10 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UM7512DR |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: SI PPIN HERMETIC STUD
Packaging: Tray
Package / Case: Stud
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 100V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Power Dissipation (Max): 10 W
Description: SI PPIN HERMETIC STUD
Packaging: Tray
Package / Case: Stud
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 100V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Power Dissipation (Max): 10 W
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