UMC4N-7 Diodes Zetex
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Technische Details UMC4N-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - UMC4N-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-353, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote UMC4N-7 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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UMC4N-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-353 |
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UMC4N-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-353 |
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UMC4N-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA |
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UMC4N-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - UMC4N-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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UMC4N-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - UMC4N-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| UMC4N-7 |
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UMC4N-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 5-Pin SOT-353 T/R |
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UMC4N-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 5-Pin SOT-353 T/R |
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