Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > UMD9NFHATR
UMD9NFHATR

UMD9NFHATR Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMD9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UMD9NFHATR Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: UMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote UMD9NFHATR nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMD9NFHATR UMD9NFHATR ROHM Semiconductor datasheet?p=UMD9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V
auf Bestellung 5772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMD9NFHATR UMD9NFHATR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMD9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMD9NFHATR datasheet?p=UMD9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD9NFHATR
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V
auf Bestellung 5772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMD9NFHATR datasheet?p=UMD9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD9NFHATR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH