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UMG1NTR Rohm Semiconductor

Name: UMG1NTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 659268-3
Price: 480.00 EUR
Availability: InStock

datasheet?p=UMG1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA

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Technische Details UMG1NTR Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: UMT5, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA.

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Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)

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Frequency - Transition: 250MHz
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
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Power - Max: 300mW
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