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UMH10NTN

UMH10NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details UMH10NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMH10NTN UMH10NTN Rohm Semiconductor emh10t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
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UMH10NTN UMH10NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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UMH10NTN UMH10NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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UMH10NTN UMH10NTN ROHM umh10ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+1.01 EUR
400+0.58 EUR
629+0.35 EUR
841+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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UMH10NTN UMH10NTN ROHM umh10ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+1.01 EUR
400+0.58 EUR
629+0.35 EUR
841+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
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UMH10NTN rohm datasheet?p=UMH10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UMH10 NTN ROHM SOT23-
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UMH10 N TN ROHM SOT363-H10
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UMH10NTN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
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Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
auf Bestellung 2790 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
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UMH10NTN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16718 Stücke:
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25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
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UMH10NTN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3135 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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400+0.58 EUR
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UMH10NTN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMH10NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
248+1.01 EUR
400+0.58 EUR
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Hersteller: rohm
auf Bestellung 120000 Stücke:
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UMH10 NTN
Hersteller: ROHM
SOT23-
auf Bestellung 2250 Stücke:
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UMH10 N TN
Hersteller: ROHM
SOT363-H10
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