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UMH11NTN

UMH11NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMH11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details UMH11NTN Rohm Semiconductor

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6, Supplier Device Package: UMT6, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMH11NTN UMH11NTN Rohm Semiconductor imh11at110-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2620 Stücke:
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712+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
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UMH11NTN UMH11NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-363
auf Bestellung 5152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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UMH11NTN UMH11NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
35+0.61 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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UMH11NTN UMH11NTN Rohm Semiconductor imh11at110-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 315 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 315 Stücke
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UMH11 N TN ROHM SOT363-H11 P
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-363
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Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
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Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
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