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UMH11NTN

UMH11NTN Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
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Technische Details UMH11NTN Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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UMH11NTN UMH11NTN Rohm Semiconductor imh11at110-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
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UMH11NTN UMH11NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-363
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UMH11NTN UMH11NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
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UMH11 N TN ROHM SOT363-H11 P
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Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
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