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UMH9NTN

UMH9NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
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Technische Details UMH9NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH9N Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMH9N-TN UMH9N-TN Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 6237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 712 Stücke
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UMH9N-TN UMH9N-TN Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 67370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.5 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
12000+0.19 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
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UMH9N-TN UMH9N-TN Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
774+0.5 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 774 Stücke
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UMH9NTN UMH9NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 70MA SOT-363
auf Bestellung 4529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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UMH9NTN UMH9NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 13421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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UMH9NTN UMH9NTN ROHM umh9ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
362+0.64 EUR
569+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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UMH9NTN UMH9NTN ROHM umh9ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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UMH9NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.68 EUR
369+0.45 EUR
802+0.2 EUR
1044+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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UMH9 N TN ROHM
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UMH9N-TN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
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AnzahlPrivatkunde
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2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
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AnzahlPrivatkunde
770+0.5 EUR
1000+0.25 EUR
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
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1000+0.25 EUR
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Digital Transistors DUAL NPN 50V 70MA SOT-363
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10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
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UMH9NTN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
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1000+0.24 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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Bauform - Transistor: SOT-363
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Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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362+0.64 EUR
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UMH9NTN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+1.12 EUR
362+0.64 EUR
569+0.38 EUR
758+0.29 EUR
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UMH9 N TN
Hersteller: ROHM
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