UMH9NTN Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details UMH9NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: UMH9N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UMH9NTN nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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UMH9NTN | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 70MA SOT-363 |
auf Bestellung 24443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMH9NTN | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
auf Bestellung 67232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMH9NTN | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: UMH9N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UMH9NTN | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
UMH9NTN NPN SMD transistors |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| UMH9 N TN | Hersteller : ROHM |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| UMH9 N TN | Hersteller : ROHM | SOT26/SOT363 |
auf Bestellung 2964 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| UMH9 N TN | Hersteller : ROHM | SOT363-H9 PB-FRE |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |