UMH9NFHATN Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details UMH9NFHATN Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: UMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMH9NFHATN UMH9NFHATN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 50V
auf Bestellung 6018 Stücke:
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UMH9NFHATN UMH9NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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35+0.62 EUR
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UMH9NFHATN UMH9NFHATN ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UMH9NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 68
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC88; SOT363
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
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Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 50V
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 68
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC88; SOT363
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
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