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UMT4401U3HZGT106

UMT4401U3HZGT106 Rohm Semiconductor

umt4401u3hzgt106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
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Technische Details UMT4401U3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.6A UMT3, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: UMT3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote UMT4401U3HZGT106 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMT4401U3HZGT106 UMT4401U3HZGT106 Rohm Semiconductor umt4401u3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
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UMT4401U3HZGT106 UMT4401U3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=UMT4401U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 40V 0.6A, Medium Power Transistor for Switching
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10+1 EUR
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UMT4401U3HZGT106 UMT4401U3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=UMT4401U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 40V 0.6A UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 250MHz
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20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
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Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 40V 0.6A, Medium Power Transistor for Switching
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Grade: Automotive
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Frequency - Transition: 250MHz
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