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UMX18NTN

UMX18NTN Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 6-Pin UMT T/R
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Technische Details UMX18NTN Rohm Semiconductor

Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: UMT6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMX18NTN UMX18NTN Rohm Semiconductor emx18t2r-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 6-Pin UMT T/R
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UMX18NTN UMX18NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMX18N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN 12V 500MA
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UMX18NTN UMX18NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMX18N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN DUAL 12V 500MA UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
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UMX18-N-TN
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09+
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SOT363
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