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UPS5819E3/TR13 Microchip Technology


UPS5817e3.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Technische Details UPS5819E3/TR13 Microchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V.

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UPS5819E3/TR13 Microchip Technology UPS5817e3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Small-Signal Schottky
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