UPTB12E3/TR7 Microchip Technology
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Technische Details UPTB12E3/TR7 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 12VWM 21.6VC POWERMIT1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.94A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 13.8V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.6V, Power - Peak Pulse: 150W, Power Line Protection: No, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| UPTB12E3/TR7 | Hersteller : MICROSEMI |
 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UPTB12E3Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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UPTB12E3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 21.6VC POWERMIT1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.94A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.6V Power - Peak Pulse: 150W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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UPTB12E3/TR7 | Hersteller : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor |
Produkt ist nicht verfügbar |