US1A-E3/5AT Vishay General Semiconductor


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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
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Technische Details US1A-E3/5AT Vishay General Semiconductor

Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
US1A-E3/5AT US1A-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Current - Average Rectified (Io): 1A
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Part Status: Active
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